中國半導體行業協會副理事長丁文武 致辭

廣州市半導體協會與廣東省集成電路行業協會副會長胡勝發 致辭

廣州漢源新材料股份有限公司董事長陳明漢 致辭

專家觀點

新基建浪潮下，寬禁帶功率半導體的研發與應用日益受到重視，成為了智能化、信息化社會不可或缺的底層技術。在產業的火熱發展趨勢面前，我們要清醒的認識到寬禁帶半導體產業具有極高的技術壁壘、人才壁壘、資金壁壘。目前全球產業格局呈現美國、歐洲、日本三足鼎立態勢，國外巨頭研發投入大、布局時間早，在技術積累、人才、資金、組織運營方面相對國內企業具有強大的領先優勢。目前，我國寬禁帶半導體產業跟世界先進水平還有較大差距，面臨的困難仍然很多，最突出的一個是技術層面上面臨的技術難題還很多，如襯底材料的完整性、外延層及歐姆接觸的質量、工藝穩定性、器件可靠性以及成本控制等，產業化的難度比外界想象的要大很多。

另一個重要問題就是產業的生態環境不完善，寬禁帶功率半導體是涉及多學科、跨領域的技術和應用，需要聯合多個領域優勢資源，開展多學科、跨領域的集成創新，產研結合深度、轉化速度要有待加強。國內在產業生態的成熟度上與國外的差距還比較明顯，上下游協同不足，尚未解決材料“能用-可用-好用”發展過程中的問題和障礙，寬禁帶功率半導體需要產業鏈、創新鏈的協同發展。

來自北京大學、浙江大學、武漢大學、華中科技大學、中山大學、華南理工大學、天津工業大學、北京交通大學、中南大學、西安電子科技大學、中科院電工研究所等高校、科研院所的十位專家學者，進行了專題報告。

隨著5G移動通信、雷達探測、軌道交通、光伏發電、半導體照明、高壓輸變電等領域的快速發展，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉化能力、優良的高頻功率特性、高溫性能穩定和低能量損耗等優勢成為支持新基建的核心材料。

碳化硅與氮化鎵優勢互補。GaN功率半導體的市場應用領域偏向中低電壓范圍，集中在1000V以下，而1000V以上的中高電壓范圍內SiC更具優勢，兩者的應用領域覆蓋了新能源汽車、光伏、機車牽引、智能電網、節能家電、通信射頻等大多數具有廣闊發展前景的新興應用市場。

以近期國內外大熱的新能源汽車為例，新能源汽車存在的核心困難是充電速率過慢，主流的研究熱點集中在快速充電技術上，而快充技術的實現就需要用到高壓SiC半導體器件。未來，在包括車用、輔助設施、充電樁等整個新能源汽車產業，均會成為支撐SiC在中高電壓領域高端應用的重要組成部分。

在射頻通信方面，GaN技術正助力5G通信的發展。5G移動通信從人與人通信拓展到萬物互聯，預計2025年全球將產生1000億個設備的連接。5G技術不僅需要超帶寬，更需要高速接入，低接入時延，低功耗和高可靠性，以支持海量設備的互聯。GaN功率器件可以提供更高的功率密度、更高效率和更低功耗。

漢源新材料觀點

“目前，全國對半導體產業都十分關注，集成電路、半導體產業非常熱火。想要推動半導體產業的穩定持續發展，創新很重要，我們一定要通過不斷創新，來實現企業、產品的彎道超車?！睗h源新材料董事長陳明漢表示，作為本次會議的主辦方，創始于1999年的漢源新材料已經成為行業領先電子材料及應用技術方案提供商。22年以來，一直專注新材料的研發與創新，匠心打造高質量新材料，致力于推動關鍵材料國產化，助力中國芯。并且，漢源自主創新核心涂敷技術達國際先進水平，已經被廣泛應用于通信、電力電動、新能源、半導體封裝等領域。

廣州漢源新材料股份有限公司董事長陳明漢 分享觀點

會議期間，中國半導體行業協會副理事長丁文武，調研了漢源新材料，對漢源新材料在半導體封裝材料及工藝方面的自主創新成果給予了高度肯定，同時希望漢源可以立足自身的技術積累，攜手產業界攻堅克難，繼續突破核心關鍵技術，為寬禁帶半導體產業的高質量發展貢獻更多的力量。

中國半導體行業協會副理事長丁文武 調研漢源新材料

廣州漢源新材料股份有限公司總經理張雪松? 分享觀點

在當前的政策、市場利好背景下，寬禁帶半導體產業的高質量發展，需要產學研各方凝聚共識，走自主創新、自主可控的發展道路，努力打贏“卡脖子”技術攻堅戰。對此，漢源新材料注冊了獨資子公司漢源微電子封裝材料有限公司，在功率半導體封裝材料領域加大投入，攜手行業知名教授，引進適用于寬禁帶半導體封裝的燒結銀技術，年內完成量產燒結銀的準備工作。同時，漢源新材料將充分發揮在精密預成型焊料領域的技術優勢，在通訊、軌交、電網、服務器等領域進一步拓展國產替代的用戶群體和應用場景，力爭成為國產高端制造供應鏈中可靠的一環。未來，漢源新材料將依托自身在封裝材料及工藝方面的技術積累，與社會各界一道攜手推動寬禁帶半導體產業行穩致遠。